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擴(kuò)散硅壓力傳感器裝置
產(chǎn)品時(shí)間:2024-08-17
擴(kuò)散硅壓力傳感器裝置是利用壓阻效應(yīng)原理,采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過(guò)摻雜、擴(kuò)散,沿單晶硅片上的特點(diǎn)晶向,制成應(yīng)變電阻,構(gòu)成惠斯凳電橋。利用硅材料的彈性力學(xué)特性,在同一切硅材料上進(jìn)行各向異性微加工,就制成了一個(gè)集力敏與力電轉(zhuǎn)換檢測(cè)于一體的擴(kuò)散硅傳感器。

擴(kuò)散硅壓力傳感器裝置產(chǎn)品特點(diǎn)

1、適合制作小量程的傳感器

硅芯片的這種力敏電阻的壓阻效應(yīng)在零點(diǎn)附近的低量程段無(wú)死區(qū),制作壓力傳感器的量程可小到幾個(gè)Kpa。

2、輸出靈敏度高

硅應(yīng)變電阻的靈敏因子比金屬應(yīng)變計(jì)高50~100倍,故相應(yīng)的傳感器的靈敏度就很高,一般量程輸出為100mv左右。因此對(duì)接口電路無(wú)特殊要求,使用比較方便。

3、精度高

由于傳感器的感受、敏感轉(zhuǎn)換和檢測(cè)三部分由同一個(gè)元件實(shí)現(xiàn),沒(méi)有中間轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié),重復(fù)性和遲滯誤差較小。由于單晶硅本身剛度很大,變形很小,保證了良好的線性。

4、由于工作單性形變低至微應(yīng)變數(shù)量級(jí),彈性芯片zui大位移在亞微米數(shù)量級(jí),因而無(wú)磨損,無(wú)疲勞,無(wú)老化,壽命長(zhǎng)達(dá)1×103壓力循環(huán),性能穩(wěn)定,可靠性高。

5、由于硅的優(yōu)良化學(xué)防腐性能,即使是非隔離型的擴(kuò)散硅壓力傳感器,也有相當(dāng)程度的適應(yīng)各種介質(zhì)的能力。

6、由于芯片采用集成工藝,又無(wú)傳動(dòng)部件,因此體積小,重量輕。

擴(kuò)散硅壓力傳感器裝置是利用壓阻效應(yīng)原理,采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過(guò)摻雜、擴(kuò)散,沿單晶硅片上的特點(diǎn)晶向,制成應(yīng)變電阻,構(gòu)成惠斯凳電橋。利用硅材料的彈性力學(xué)特性,在同一切硅材料上進(jìn)行各向異性微加工,就制成了一個(gè)集力敏與力電轉(zhuǎn)換檢測(cè)于一體的擴(kuò)散硅傳感器。

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